8英寸LPCVD低压化学气相淀积炉（TEOS工艺）

利用炉管构建稳定且精确可控的中高温环境。在炉管内，作为硅源的正硅酸乙酯（TEOS）蒸汽与氧气（O₂）在特定温度、压力条件下发生化学反应。TEOS 分子在高温下热解，释放出硅（Si）原子，硅原子与氧气中的氧（O）原子结合，逐步在衬底表面沉积形成二氧化硅（SiO₂）薄膜。同时，反应产生的挥发性副产物（如二氧化碳、水等）被及时排出炉管。通过精确调控炉管温度、反应气体流量、压力以及反应时间等关键工艺参数，能够精准控制二氧化硅薄膜的生长速率、厚度、微观结构和性能，满足不同应用场景对薄膜的严格要求。

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