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8英寸LPCVD低压化学气相淀积炉（SiN工艺）

在低气压环境下通过化学反应在硅片表面沉积氮化硅（Si₃N₄）薄膜的技术，此技术旨在提升薄膜均匀性、致密度和台阶覆盖能力。

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TEOS源柜

半导体TEOS工艺自动供源系统

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8英寸LPCVD低压化学气相淀积炉（TEOS工艺）

利用炉管构建稳定且精确可控的中高温环境。在炉管内，作为硅源的正硅酸乙酯（TEOS）蒸汽与氧气（O₂）在特定温度、压力条件下发生化学反应。TEOS 分子在高温下热解，释放出硅（Si）原子，硅原子与氧气中的氧（O）原子结合，逐步在衬底表面沉积形成二氧化硅（SiO₂）薄膜。同时，反应产生的挥发性副产物（如二氧化碳、水等）被及时排出炉管。通过精确调控炉管温度、反应气体流量、压力以及反应时间等关键工艺参数，能够精准控制二氧化硅薄膜的生长速率、厚度、微观结构和性能，满足不同应用场景对薄膜的严格要求。

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8英寸LPCVD低压化学气相淀积炉（HTO工艺）

区别于热氧化（热氧化是消耗硅衬底生长 SiO₂）；HTO 是气相沉积 SiO₂，不消耗硅片基底，薄膜致密、台阶覆盖优良，品质接近热氧化层，广泛用于多晶间介质 IPD、侧壁间隔层、闪存、浅沟槽隔离侧墙介质。

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8英寸LPCVD低压化学气相淀积炉（HTO工艺）

区别于热氧化（热氧化是消耗硅衬底生长 SiO₂）；HTO 是气相沉积 SiO₂，不消耗硅片基底，薄膜致密、台阶覆盖优良，品质接近热氧化层，广泛用于多晶间介质 IPD、侧壁间隔层、闪存、浅沟槽隔离侧墙介质。

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