语言

相关产品

Product Video

8英寸常压立式高温退火炉管（高温退火工艺）

高温退火是芯片制造核心热处理工艺，主要在高温、洁净惰性或可控气氛环境下，对晶圆进行恒温保温与降温处理。工艺核心原理为利用高温激活晶圆内部原子迁移，修复离子注入、刻蚀、薄膜沉积等前道工艺造成的晶格损伤、缺陷与应力，同时精准激活掺杂离子，使杂质原子稳定占据晶格位置，形成均匀、稳定的掺杂导电区域。同时，该工艺可释放晶圆内部机械应力、优化薄膜界面状态、改善晶格完整性，有效提升芯片电学性能的均匀性与稳定性，消除工艺带来的电性偏差与器件隐患，最终保障半导体器件的导通、耐压、漏电等关键电气参数达标，提升芯片良品率与工作可靠性。

查看详情
8英寸立式LPCVD设备

适用LPCVD工艺: TEOS、POLY、DPOLY、Nitride、HTO等

查看详情
法兰冷阱

立式炉法兰、冷阱

查看详情
8英寸常压立式退火炉管（铜退火工艺）

常压铜退火多用于TSV 硅通孔、Cu 凸点、先进封装电镀铜薄膜，在常压、保护气氛（高纯 N₂或 N₂‑H₂成型气）下对电镀铜做批次热处理；以固态冶金物理变化为主，无大规模化学反应；控制温区，防止铜扩散穿透 Ta/TaN 阻挡层造成器件漏电。

查看详情

8英寸常压立式退火炉管（铜退火工艺）

常压铜退火多用于TSV 硅通孔、Cu 凸点、先进封装电镀铜薄膜，在常压、保护气氛（高纯 N₂或 N₂‑H₂成型气）下对电镀铜做批次热处理；以固态冶金物理变化为主，无大规模化学反应；控制温区，防止铜扩散穿透 Ta/TaN 阻挡层造成器件漏电。

View more

新闻

View more

产品介绍

关于赛尔

新闻中心

售后服务

售后服务

咨询电话:

时宝斌：18866268611
李刚：18006420858
马庆祥：13361218012
总部地址:
山东省青岛市高新区华贯路869号联东U谷产业园C-35号楼
销售邮箱:
时宝斌： shibaobin@qdshare.com
李刚： ligang@qdshare.com
马庆祥：maqingxiang@qdshare.com

copyright © 2025 青岛赛尔微电子有限公司. 版权所有鲁ICP备11024354号技术支持：华夏商务网
友情链接