在工艺过程中，硅片界面存在的电荷堆积会影响产品的电学特性与良率，通过高真空合金工艺，能够良好的改善晶格结构，降低空洞率，减少气孔和杂质，提升导热和导电性能，主要应用于 IGBT 正/背面合金，高频高压，提高欧姆接触性能的降低接触电阻值的工艺设备 。

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