常压低压兼容PI固化炉
基于 “常压成熟稳定、低压高效高质” 的双模特性，全面覆盖半导体 PI 固化的全流程场景，尤其适配青岛赛尔炉管的工艺协同性。
青岛赛尔深耕该领域 16 年，在核心性能、安全合规、稳定可靠三大维度形成核心优势，为晶圆制造提供高效精准的国产化装备方案。
Product Introduction
参数维度 | 核心指标 | 工艺意义 |
温场控制 | 温度范围：RT~450℃（支持低温 PI 250~300℃）温控精度：±0.5℃（单点）片内 / 片间均匀性：≤±1℃（300℃平台）升温速率：0.3~5℃/min（连续可调）降温速率：0.5~8℃/min（柔性可控） | 适配不同 PI 材料的亚胺化窗口，避免欠固化 / 过固化，控制热应力，杜绝薄膜开裂、翘曲 |
压力与气氛 | 压力范围：常压（101 kPa）~ 低压（≤10 Pa，可扩展至 1×10⁻³ Pa）氧含量控制：常压≤20 ppm；低压≤5 ppm氮气纯度：≥99.999%，流量精度 ±1% FS真空抽气能力：极限真空≤5×10⁻⁴ Pa，抽气时间≤15 min（从常压至 10 Pa） | 低压高效脱除 NMP 等溶剂，消除 “爆米花效应”；常压适配成熟产线配方，全程无氧避免 PI 黄变、氧化降解 |
洁净与产能 | 洁净等级：Class 100（腔体内部）新增颗粒：≤30 个（≥0.2 μm，载片能力：8/12 英寸兼容，单炉 100~150 片（12 英寸）程序存储：120 组配方，每组 99 段，支持 MES/SECS/GEM 对接 | 保障先进封装良率；批量生产适配大规模制造；工艺追溯与自动化集成能力满足产线工业 4.0 需求 |
可靠性与安全 | 腔体材质：316L 不锈钢 + 高纯石英部件，无硅污染密封寿命：≥10,000 次循环安全保护：超温、过压、氧含量超标、断气联锁 | 长期量产稳定性，杜绝金属 / 硅污染导致的器件漏电；降低设备停机风险，保障产线连续运行 |
· 核心工艺场景：WLP/RDL 厚膜 PI（≥10 μm）固化、高深宽比结构 PI 填充后固化、MEMS 腔体 PI 钝化、低温 PI（250~300℃）亚胺化、光敏 PI（PSPI）曝光后固化。
· 工艺优势：
o 高效脱溶剂：低压环境下溶剂挥发速率提升 5 倍，残留溶剂≤0.1%（常压工艺的 1/5），彻底消除针孔、气泡、分层。
o 低温快速固化：针对低温 PI，在 280℃即可实现≥95% 亚胺化率，缩短工艺时间 30%+。
o 无氧化黄变：氧含量≤5 ppm，高温下 PI 分子链不发生氧化降解，薄膜透光率提升 15%，适配多层 RDL 光刻对准需求。
· 核心工艺场景：传统 IC 封装薄 PI（≤5 μm）钝化、功率器件 PI 绝缘层固化、面板级封装（PLP）PI 固化、研发阶段小批量配方验证。
· 工艺优势：
o 配方兼容：直接沿用客户现有常压固化工艺参数，无需重新开发配方，降低工艺切换成本。
o 灵活切换：与低压模式一键切换，同一台设备满足研发小试与量产大生产的不同需求。
· 多段式工艺曲线：支持 “低温预烘（80~120℃）→中温交联（150~200℃）→高温亚胺化（300~400℃）→缓冷定型” 的全流程自动执行，精准匹配 PI 固化的化学反应动力学。
· 热应力控制：通过缓慢升 / 降温（0.3~1℃/min）与对称热场设计，晶圆翘曲度≤50 μm，适配薄晶圆（≤50 μm）与异质集成器件的固化需求。
· 工艺可追溯：全程记录温度、压力、氧含量、气体流量等参数，数据可导出并对接客户 MES 系统，满足汽车电子、航空航天等高端应用的合规要求。
Product Introduction
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