8英寸LPCVD低压化学气相淀积炉（HTO工艺）
区别于热氧化（热氧化是消耗硅衬底生长 SiO₂）；HTO 是气相沉积 SiO₂，不消耗硅片基底，薄膜致密、台阶覆盖优良，品质接近热氧化层，广泛用于多晶间介质 IPD、侧壁间隔层、闪存、浅沟槽隔离侧墙介质。
青岛赛尔深耕该领域 16 年，在核心性能、安全合规、稳定可靠三大维度形成核心优势，为晶圆制造提供高效精准的国产化装备方案。
区别于热氧化（热氧化是消耗硅衬底生长 SiO₂）；HTO 是气相沉积 SiO₂，不消耗硅片基底，薄膜致密、台阶覆盖优良，品质接近热氧化层，广泛用于多晶间介质 IPD、侧壁间隔层、闪存、浅沟槽隔离侧墙介质。
Product Introduction
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