8英寸常压掺杂前氧化炉管（氧化工艺）
该工艺属于常压扩散炉管的前置预处理工序，放在预沉积掺杂（Predep，POCl₃磷扩散 / BBr₃、BCl₃硼扩散）之前，常压（1atm）热氧化，在硅片表面先生长一层薄的热氧化 SiO₂层（预氧化层 / 起始氧化层，Start‑Oxide），之后再通入掺杂源做杂质预沉积扩散。氧化剂（O₂干氧/ H₂O 湿氧）穿过氧化层，在Si‑SiO₂界面与硅衬底反应，消耗硅片本身生成 SiO₂，遵循 Deal‑Grove 热氧化模型。
青岛赛尔深耕该领域 16 年，在核心性能、安全合规、稳定可靠三大维度形成核心优势，为晶圆制造提供高效精准的国产化装备方案。
该工艺属于常压扩散炉管的前置预处理工序，放在预沉积掺杂（Predep，POCl₃磷扩散 / BBr₃、BCl₃硼扩散）之前，常压（1atm）热氧化，在硅片表面先生长一层薄的热氧化 SiO₂层（预氧化层 / 起始氧化层，Start‑Oxide），之后再通入掺杂源做杂质预沉积扩散。氧化剂（O₂干氧/ H₂O 湿氧）穿过氧化层，在Si‑SiO₂界面与硅衬底反应，消耗硅片本身生成 SiO₂，遵循 Deal‑Grove 热氧化模型。
Product Introduction
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