8英寸常压掺杂前氧化炉管（Anneal工艺）

Anneal 是芯片制造核心热处理工艺，主要在高温、洁净惰性或可控气氛环境下，对晶圆进行恒温保温与降温处理。工艺核心原理为利用高温激活晶圆内部原子迁移，修复离子注入、刻蚀、薄膜沉积等前道工艺造成的晶格损伤、缺陷与应力，同时精准激活掺杂离子，使杂质原子稳定占据晶格位置，形成均匀、稳定的掺杂导电区域。同时，该工艺可释放晶圆内部机械应力、优化薄膜界面状态、改善晶格完整性，有效提升芯片电学性能的均匀性与稳定性，消除工艺带来的电性偏差与器件隐患，最终保障半导体器件的导通、耐压、漏电等关键电气参数达标，提升芯片良品率与工作可靠性。

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