8英寸LPCVD低压化学气相淀积炉（HTO工艺）

区别于热氧化（热氧化是消耗硅衬底生长 SiO₂）；HTO 是气相沉积 SiO₂，不消耗硅片基底，薄膜致密、台阶覆盖优良，品质接近热氧化层，广泛用于多晶间介质 IPD、侧壁间隔层、闪存、浅沟槽隔离侧墙介质。

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8英寸常压立式高温退火炉管（高温退火工艺）

高温退火是芯片制造核心热处理工艺，主要在高温、洁净惰性或可控气氛环境下，对晶圆进行恒温保温与降温处理。工艺核心原理为利用高温激活晶圆内部原子迁移，修复离子注入、刻蚀、薄膜沉积等前道工艺造成的晶格损伤、缺陷与应力，同时精准激活掺杂离子，使杂质原子稳定占据晶格位置，形成均匀、稳定的掺杂导电区域。同时，该工艺可释放晶圆内部机械应力、优化薄膜界面状态、改善晶格完整性，有效提升芯片电学性能的均匀性与稳定性，消除工艺带来的电性偏差与器件隐患，最终保障半导体器件的导通、耐压、漏电等关键电气参数达标，提升芯片良品率与工作可靠性。

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6英寸化合物LPCVD卧式炉设备（水平炉）

适用工艺: TEOS、POLY、DPOLY、Nitride、HTO、BPSG、LTO、PSG等

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8英寸LPCVD低压化学气相淀积炉（SiN工艺）

在低气压环境下通过化学反应在硅片表面沉积氮化硅（Si₃N₄）薄膜的技术，此技术旨在提升薄膜均匀性、致密度和台阶覆盖能力。

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在低气压环境下通过化学反应在硅片表面沉积氮化硅（Si₃N₄）薄膜的技术，此技术旨在提升薄膜均匀性、致密度和台阶覆盖能力。

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公司将参加2017年SEMICON China展会

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五段扩散炉控制系统已全面投入市场

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精工履约，交付落地｜青岛赛尔全力护航设备按期投产

Jan

29

2026

2021年动态千级静态百级组装车间投入使用

Jan

01

2017

2017年1月1日公司千级净化车间正式投入使用

Jan

02

2018

公司将参加2018年SEMICON China展会

产品介绍

关于赛尔

新闻中心

售后服务

时宝斌：18866268611
李刚：18006420858
马庆祥：13361218012

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在低气压环境下通过化学反应在硅片表面沉积氮化硅（Si₃N₄）薄膜的技术，此技术旨在提升薄膜均匀性、致密度和台阶覆盖能力。

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