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6英寸立式LPCVD设备

适用LPCVD工艺: TEOS、POLY、DPOLY、Nitride、HTO等

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时宝斌：18866268611
李刚：18006420858
马庆祥：13361218012
总部地址:
山东省青岛市高新区华贯路869号联东U谷产业园C-35号楼
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时宝斌： shibaobin@qdshare.com
李刚： ligang@qdshare.com
马庆祥：maqingxiang@qdshare.com

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在低气压环境下通过化学反应在硅片表面沉积氮化硅（Si₃N₄）薄膜的技术，此技术旨在提升薄膜均匀性、致密度和台阶覆盖能力。

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