8英寸常压立式合金炉管（合金退火工艺）

合金退火是芯片制造核心热处理工艺，主要在高温、洁净惰性或可控气氛环境下，用于硅‑金属接触孔欧姆接触合金化，可有效提升芯片电学性能的均匀性与稳定性，消除工艺带来的电性偏差与器件隐患，最终保障半导体器件的导通、耐压、漏电等关键电气参数达标，提升芯片良品率与工作可靠性，广泛用于分立器件、功率器件、模拟芯片。

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青岛赛尔立式高真空合金炉

应用价值（客户收益） 显著提升欧姆接触性能：接触电阻更低、更均匀，器件导通损耗更小、效率更高。 大幅提高器件可靠性与良率：高真空环境减少缺陷与污染，降低漏电、失效风险，良率更稳定。 完美适配 IGBT 减薄后工艺：解决薄晶圆易翘曲、易破损、合金一致性差的行业痛点。 满足高端功率器件严苛要求：适用于新能源、工控、车载等高可靠场景，提升产品档次与市场竞争力。

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常压氧化炉

适用工艺：SI基：O X (干氧，湿氧）、Diffusion（磷/硼预扩）、Drive In（推结）、Anneal SIC基: Anneal （氮气退火）、Alloy（NH合金）、POCL3等。 （NH退火），制碳膜，烧碳膜，PI 烘烤固化工艺等。

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倒片机

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