8英寸立式LPCVD设备

➊适用晶圆尺寸：8 英寸，6&8兼容，厚度范围为 350μm - 1200μm硅片。

➋工艺温度：工作温度区间为 300℃ - 900℃，可根据具体工艺要求在该范围内精确设定。

➌控温精度：设备具备高精度的温度控制系统，控温精度可达≤±0.5℃，确保在整个工艺过程中温度稳定。

➍稳定工作时间：在 24 小时连续运行过程中，温度波动≤±0.5℃/24h，保证了长时间生产的稳定性和一致性。

➎Open Cassette，双PORT口可外挂SMIF和内置双工位SMIF，带RFID两种机型可选

➏支持 Si 片Mapping功能，根据mapping结果和charge规则自动进行晶圆在晶舟layout分布。

➐做片量≥150片 / batch，支持 A&B batch功能。

➑标配晶舟旋转：旋转速度0.5 r/min~5 r/min可调。

➒支持EAP,MES等系统上线。