青岛赛尔立式高真空合金炉
在工艺过程中，硅片界面存在的电荷堆积会影响产品的电学特性与良率，通过高真空合金工艺，能够良好的改善晶格结构，降低空洞率，减少气孔和杂质，提升导热和导电性能，主要应用于 IGBT 正/背面合金，高频高压，提高欧姆接触性能的降低接触电阻值的工艺设备 。
青岛赛尔深耕该领域 16 年，在核心性能、安全合规、稳定可靠三大维度形成核心优势，为晶圆制造提供高效精准的国产化装备方案。
在工艺过程中，硅片界面存在的电荷堆积会影响产品的电学特性与良率，通过高真空合金工艺，能够良好的改善晶格结构，降低空洞率，减少气孔和杂质，提升导热和导电性能，主要应用于 IGBT 正/背面合金，高频高压，提高欧姆接触性能的降低接触电阻值的工艺设备 。
Product Introduction
高真空合金炉性能指标
温度控制
（低温高真空，片厚80UM,温度230℃，过冲2℃，精度2℃）
（低温高真空，片厚80UM,温度350℃，过冲2℃，精度2℃）
Product Introduction
咨询电话:
总部地址:
销售邮箱:
立即咨询
获取您行业的解决方案
