Products 产品介绍

青岛赛尔深耕该领域 16 年，在核心性能、安全合规、稳定可靠三大维度形成核心优势，为晶圆制造提供高效精准的国产化装备方案。

全部半导体硅基工艺设备化合物半导体工艺设备特色工艺设备辅助设备配件耗材

8英寸立式常压设备

适用常压工艺：OX、Drive in、Anneal(N2/NH)、Alloy (NH)、PIQ、BPSG回流等

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8英寸立式LPCVD设备

适用LPCVD工艺: TEOS、POLY、DPOLY、Nitride、HTO等

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6英寸立式氧化/扩散/退火设备

适用常压工艺：OX、Drive in、POCL3、Anneal(N2/NH)、Alloy (NH)、PIQ等

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TEOS源柜

半导体TEOS工艺自动供源系统

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导片机

适用于SI或者SIC片25片倒25片，25+25倒50片或者背靠背模式倒片

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炉体

特殊炉体，立式炉炉体，卧式炉炉体

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青岛赛尔立式高真空合金炉

在工艺过程中，硅片界面存在的电荷堆积会影响产品的电学特性与良率，通过高真空合金工艺，能够良好的改善晶格结构，降低空洞率，减少气孔和杂质，提升导热和导电性能，主要应用于 IGBT 正/背面合金，高频高压，提高欧姆接触性能的降低接触电阻值的工艺设备。

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6英寸立式LPCVD设备

适用LPCVD工艺: TEOS、POLY、DPOLY、Nitride、HTO等

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6英寸卧式LPCVD设备（水平炉）

适用工艺: TEOS、POLY、DPOLY、Nitride、HTO、BPSG、LTO、PSG等

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法兰冷阱

立式炉法兰、冷阱

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6英寸氧化/扩散/退火卧式扩散炉（水平炉）

适用常压工艺：OX、Drive in、Anneal(N2/NH)、Alloy (NH)、POCL3、磷预扩、磷再扩、硼预扩、硼再扩、PIQ等。

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常压氧化炉

适用工艺：SI基：O X (干氧，湿氧）、Diffusion（磷/硼预扩）、Drive In（推结）、Anneal SIC基: Anneal （氮气退火）、Alloy（NH合金）、POCL3等。（NH退火），制碳膜，烧碳膜，PI 烘烤固化工艺等。

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8英寸立式常压设备

适用常压工艺：OX、Drive in、Anneal(N2/NH)、Alloy (NH)、PIQ、BPSG回流等

8英寸立式LPCVD设备

适用LPCVD工艺: TEOS、POLY、DPOLY、Nitride、HTO等

6英寸立式氧化/扩散/退火设备

适用常压工艺：OX、Drive in、POCL3、Anneal(N2/NH)、Alloy (NH)、PIQ等

TEOS源柜

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适用于SI或者SIC片25片倒25片，25+25倒50片或者背靠背模式倒片

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青岛赛尔立式高真空合金炉

6英寸立式LPCVD设备

适用LPCVD工艺: TEOS、POLY、DPOLY、Nitride、HTO等

6英寸卧式LPCVD设备（水平炉）

适用工艺: TEOS、POLY、DPOLY、Nitride、HTO、BPSG、LTO、PSG等

法兰冷阱

立式炉法兰、冷阱

6英寸氧化/扩散/退火卧式扩散炉（水平炉）

适用常压工艺：OX、Drive in、Anneal(N2/NH)、Alloy (NH)、POCL3、磷预扩、磷再扩、硼预扩、硼再扩、PIQ等。

常压氧化炉

适用工艺：SI基：O X (干氧，湿氧）、Diffusion（磷/硼预扩）、Drive In（推结）、Anneal SIC基: Anneal （氮气退火）、Alloy（NH合金）、POCL3等。（NH退火），制碳膜，烧碳膜，PI 烘烤固化工艺等。

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关于青岛赛尔

新闻中心

售后服务

时总：18866268611 李经理：18006420858

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适用常压工艺：OX、Drive in、Anneal(N2/NH)、Alloy (NH)、PIQ、BPSG回流等

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适用LPCVD工艺: TEOS、POLY、DPOLY、Nitride、HTO等

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适用常压工艺：OX、Drive in、POCL3、Anneal(N2/NH)、Alloy (NH)、PIQ等

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适用于SI或者SIC片25片倒25片 ，25+25倒50片或者背靠背模式倒片

炉体

特殊炉体，立式炉炉体，卧式炉炉体

青岛赛尔立式高真空合金炉

6英寸立式LPCVD设备

适用LPCVD工艺: TEOS、POLY、DPOLY、Nitride、HTO等

6英寸卧式LPCVD设备（水平炉）

适用工艺: TEOS、POLY、DPOLY、Nitride、HTO、BPSG、LTO、PSG等

法兰 冷阱

立式炉法兰、冷阱

6英寸氧化/扩散/退火卧式扩散炉（水平炉）

适用常压工艺：OX、Drive in、Anneal(N2/NH)、Alloy (NH)、POCL3、磷预扩、磷再扩、硼预扩、硼再扩、PIQ等。

常压氧化炉

适用工艺：SI基：O X (干氧，湿氧）、Diffusion（磷/硼预扩）、Drive In（推结）、Anneal SIC基: Anneal （氮气退火）、Alloy（NH合金）、POCL3等。 （NH退火），制碳膜，烧碳膜，PI 烘烤固化工艺等。

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法兰冷阱

适用工艺：SI基：O X (干氧，湿氧）、Diffusion（磷/硼预扩）、Drive In（推结）、Anneal SIC基: Anneal （氮气退火）、Alloy（NH合金）、POCL3等。（NH退火），制碳膜，烧碳膜，PI 烘烤固化工艺等。