6英寸化合物LPCVD卧式炉设备（水平炉）

适用工艺: TEOS、POLY、DPOLY、Nitride、HTO、BPSG、LTO、PSG等

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青岛赛尔立式高真空合金炉

在工艺过程中，硅片界面存在的电荷堆积会影响产品的电学特性与良率，通过高真空合金工艺，能够良好的改善晶格结构，降低空洞率，减少气孔和杂质，提升导热和导电性能，主要应用于 IGBT 正/背面合金，高频高压，提高欧姆接触性能的降低接触电阻值的工艺设备。

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常压氧化炉

适用工艺：SI基：O X (干氧，湿氧）、Diffusion（磷/硼预扩）、Drive In（推结）、Anneal SIC基: Anneal （氮气退火）、Alloy（NH合金）、POCL3等。（NH退火），制碳膜，烧碳膜，PI 烘烤固化工艺等。

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6英寸化合物立式常压设备

适用工艺：OX、Drive in、Anneal(N2/NH)、Alloy (NH)、PIQ、增密、烧碳膜、制碳膜等

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10

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五段扩散炉控制系统已全面投入市场

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05

2017

公司将参加2017年SEMICON China展会

Jan

02

2018

公司将参加2018年SEMICON China展会

产品介绍

关于赛尔

新闻中心

售后服务

时总：18866268611 李经理：18006420858

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